Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SVSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SVSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1808G, 8 Гб, DDR3 (PC3-14900) 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1804G, 4 Гб, DDR3 (PC3-14900) 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1602G, 2 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Товары 221 - 240 из 347
Начало | Пред. | 10 11 12 13 14 | След. | Конец