Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CIR-W4SUSV2604G, емкость 4 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85С
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 Мгц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Товары 201 - 220 из 347
Начало | Пред. | 9 10 11 12 13 | След. | Конец