Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1008G, 8 Гб, DDR3 1066 MHz, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1004G, 4 Гб, DDR3 1066 MHz, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1004G, 4 Гб, DDR3 (PC3-8500) 1066 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSI1002G, 2 Гб, DDR3 (PC3-8500) 1066 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1804G, 4 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1608G, 8 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1604G, 4 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1308G, 8 Гб, (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1304G, 4 Гб, (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1802G, 2 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1604G, 4 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1602G, 2 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1304G, 4 Гб, (PC3-10600) 1333MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1302G, 2 Гб, (PC3-10600) 1333MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1608G, 8 Гб (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1604G, 4 Гб (PC3-12800) 1600 Мгц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Товары 241 - 260 из 347
Начало | Пред. | 11 12 13 14 15 | След. | Конец