Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1308G, 8 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1302G, 2 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Товары 341 - 347 из 347
Начало | Пред. | 14 15 16 17 18 | След. | Конец