Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CERVOZ DDR2 SODIMM CIR-W2SUMG6602G, 2 GB 667 MHz, 200-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 SODIMM CIR-W2SUMG6601G, 1 GB 667 MHz, 200-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 DIMM CIR-W2DUMG8002G, 2 GB 800 MHz, 240-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 DIMM CIR-W2DUMG8001G, 1 GB 800 MHz, 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 DIMM CIR-W2DUMG6602G, 2 GB 667 MHz, 240-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 DIMM CIR-W2DUMG6601G, 1 GB 667 MHz, 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, двустронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSH1301G, 1 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSH1001G, 1 Гб, DDR3, (PC3-8500) 1066 Мгц, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSO1604G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSO1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSH1001G, емкость 1 Гб, DDR3, (PC3-8500) 1066 Мгц, DIMM, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, -40~+95 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Товары 321 - 340 из 347
Начало | Пред. | 14 15 16 17 18 | След. | Конец