Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1308G, 8 Гб (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1304G, 4 Гб (PC3-10600) 1333 Мгц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1008G, 8 Гб (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1004G, 4 Гб (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1604G, 4GB, DDR3, (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1602G, 2GB, DDR3, (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1304G, 4GB, DDR3, (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1302G, 2GB, DDR3, (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1004G, 4GB, DDR3, (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1002G, 2GB, DDR3, (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1808G, DDR3, 8 Гб, 1866 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1804G, DDR3, 4 Гб, 1866 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1608G, DDR3, 8 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1604G, DDR3, 4 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1308G, DDR3, 8 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1304G, DDR3, 4 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 одностронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односотронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1304G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Товары 261 - 280 из 347
Начало | Пред. | 12 13 14 15 16 | След. | Конец