Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1604G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двустронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2616G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 1Gx8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 1Gx8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 512Mx8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 512Mx8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DVSW2616G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DVSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DVSV2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DVSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2616G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V3SESK1604G, DDR3, ECC SODIMM, емкость 4 Гб, 1600Мгц, питание 1.35В/1.5В
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 SODIMM CIR-W2SUMG8002G, 2 GB 800 MHz, 200-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 SODIMM CIR-W2SUMG8001G, 1 GB 800 MHz, 200-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Товары 301 - 320 из 347
Начало | Пред. | 14 15 16 17 18 | След. | Конец