Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CIR-V4SESW2616G, 16 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1Gx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESW2608G, 8 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1Gx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2608G, 8 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2604G, 4 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESW2616G, 16 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESW2608G, 8 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESV2608G, 8 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESV2604G, 4 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASW2616G, 16 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1Gx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASW2608G, 8 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1Gx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASV2608G, 8 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASV2604G, 4 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSX2632G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 2Gx8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSX2632G, объем 32 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S2SUMG8001G, 1 Гб, DDR2 (PC2-6400) 800 МГц, SODIMM 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, 0~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S1SUMD33512, 512 MB, DDR1, (PC-2700) 333MHz, 200-pin, SODIMM, 32Mx16, двусторонний, 2,6 В, 0~70 С, MICRON
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2616G, емкость 16 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1G x 8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2608G, емкость 8 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1Gx8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2608G, емкость 8 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Товары 181 - 200 из 347
Начало | Пред. | 8 9 10 11 12 | След. | Конец