Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тестМодуль памяти CIR-V4SESZ2904G, 4 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY3208G, 8 Гб, DDR4 3200 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY2916G, 16 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY2908G, 8 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESZ3208G, 8 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESZ3204G, 4 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESZ2908G, 8 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESZ2904G, 4 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESY3216G, 16 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESY3208G, 8 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESY2908G, 8 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASZ3208G, 8 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASZ3204G, 4 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASZ2908G, 8 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASZ2904G, 4 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASY3216G, 16 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1Gx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASY3208G, 8 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1Gx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASY2916G, 16 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASY2908G, 8 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSZ3208G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
По запросу
Товары 121 - 140 из 347
Начало | Пред. | 5 6 7 8 9 | След. | Конец




















