Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тест
Модуль памяти CIR-V4DASW2408G, 8 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASV2408G, 8 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512M x 8 двусторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASV2404G, 4 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512M x 8 односторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2416G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM, 2400 МГц, 1G x 8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2116G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM, 2133 МГц, 1G x 8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2404G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2400 МГц, 512M x 8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2108G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2133 МГц, 512M x 8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2104G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2133 МГц, 512M x 8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2416G, 16 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2408G, 8 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, односторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2116G, 16 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, двусторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, односторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2408G, 8 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512Mx8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2404G, 4 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512Mx8, односторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512M x 8, двусторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2104G, 4 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512M x 8, односторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DESB4832G, объем 32 Гб, DDR5 ECC DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DESB4816G, объем 16 Гб, DDR5 ECC DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DASB4832G, объем 32 Гб, DDR5 ECC Registered DIMM, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DASB4816G, объем 16 Гб, DDR5 ECC Registered DIMM, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Товары 81 - 100 из 347
Начало | Пред. | 3 4 5 6 7 | След. | Конец