DDR3 DIMM
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, двустронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSO1604G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSO1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSH1001G, емкость 1 Гб, DDR3, (PC3-8500) 1066 Мгц, DIMM, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1308G, 8 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1302G, 2 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Товары 61 - 78 из 78
Начало | Пред. | 1 2 3 4 | След. | Конец