DDR3 DIMM
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1304G, DDR3, 4 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 одностронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односотронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1304G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1302G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1608G, DDR3, 8 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1604G, DDR3, 4 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1308G, DDR3, 8 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1304G, DDR3, 4 Гб, 1333MHz, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1008G, DDR3, 8 Гб, 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1004G, DDR3, 4 Гб, 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1604G, DDR3, 4 Гб (PC3-12800) 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1602G, DDR3, 2GB (PC3-12800) 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1304G, DDR3, 4 Гб (PC3-10600) 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1302G, DDR3, 2GB (PC3-10600) 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1004G, DDR3, 2GB (PC3-8500) 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С,
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1002G, DDR3, 2GB (PC3-8500) 1066 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1604G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двустронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Товары 41 - 60 из 78
Начало | Пред. | 1 2 3 4 | След. | Конец