Комплектующие для промышленных компьютеров
AAEON
ARBOR
ASRock
Adlink
Advantech
Avalue
Axiomtek
CERVOZ
CHIA CHERNE INDUSTRY (COOLJAG)
Cooler Master
DFI
Di-ARTs
EMACS (ZIPPY)
GIGABYTE
Guanghsing
ICOP Technology
ICP DAS
IEI Technology
Innodisk
JET WAY INFORMATION CO.,LTD
NEXCOM
NVIDIA
PLANET Technology Corp
Portwell
Sintrones
Supermicro
Traco Power
WINGSONIC
Yentek
iBASE
Встраиваемые Системы
Промышленные компьютеры - предназначены для работы в неблагоприятных условиях, таких как: повышенная влажность, расширенный температурный диапазон, вибрации, пыль. Помимо внешних факторов к промышленным компьютерам предъявляется ряд требований: резервирование критически важных узлов, широкий набор портов ввода-вывода, слоты расширения ISA, PCI, AGP, PCI-X, PCI-Express, длительный срок эксплуатации, работа 24/7. В нашем каталоге представлены как готовые промышленные компьютеры Smartum так и комплектующие для производства промышленных компьютеров.
Товары
1 - 357 из 357
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM CIR-W3DUSPS1304G, 4 GB 1333 MHz, 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
на складе
Корзина CSE-523CTSARB для установки в отсек 2x 5,25'' 3x 2,5''/3,5'' SATA HDD/SSD с поддержкой RAID уровней 0, 1, 3, 5, JBOD, PM, Clone, световая и звуковая индикация об ошибках, вентилятор 80 мм
26 080.33
на складе
Модуль памяти CIR-V5DASF5632G, объем 32 Гб, DDR5 ECC Registered DIMM, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUSF4816G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSF4832G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSF4816G, объем 16 Гб, DDR5 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSE4808G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 1G x 16, 262 pin, -40~95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5SESF4832G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM ECC Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5SESF4816G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM ECC Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUSF4832G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUSF4816G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUSE4808G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 1G x 16, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUHG5648G, объем 48 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 3Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DVSF5632G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, -40~+95C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DVSF5616G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, -40~+95C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DVSF4832G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, -40~+95C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DVSF4816G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, -40~+95C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DESF4832G, объем 32 Гб, DDR5 ECC DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DESF4816G, объем 16 Гб, DDR5 ECC DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DASF5616G, объем 16 Гб, DDR5 ECC Registered DIMM, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DASF4832G, объем 32 Гб, DDR5 ECC Registered DIMM, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DASF4816G, объем 16 Гб, DDR5 ECC Registered DIMM, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DVSF5632G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DVSF5616G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DVSF4832G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DVSF4816G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUSF4832G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUSE4808G, объем 8 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 1Gx16, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUHG5648G, объем 48 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 3Gx16, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S1DUME40512, 512 MB (PC-3200) 400 MHz, DDR1, 184-pin, 32Mx16, односторонний, 2,6 V, 0~70 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S1DUME4001G, 1024 MB (PC-3200) 400MHz, DDR1, 184-pin, 32Mx16, двусторонний, 2,6 V, 0~70 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S1DUME33512, 512 MB (PC-2700) 333MHz, DDR1, 184-pin, 32Mx16, односторонний, 2,6 V, 0~70 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S1DUME3301G, 1024 MB (PC-2700) 333MHz, DDR1, 184-pin, 32Mx16, двусторонний, 2,6 V, 0~70 С
По запросу
Корзина для установки HotSwap 3.5" в отсек 5.25" Procase T3-304-SATA3-BK
9 142.58
Модуль памяти CIR-W5SUHG5648G, объем 48 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 3Gx8, 262 pin, -40~95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSF5616G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSE5608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 1G x 16, 262 pin, -40~95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSB4832G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSB4816G, объем 16 Гб, DDR5 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DUSF5632G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DUSF5616G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DUSE5608G, объем 8 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 1Gx16, 288 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DUSC4808G, объем 8 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 1Gx16, 288 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DUSB4832G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5DUSB4816G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5SESF5632G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM ECC Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5SESF5616G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM ECC Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5SESB4832G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM ECC Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5SESB4816G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM ECC Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DESF5632G, объем 32 Гб, DDR5 ECC DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DESF5616G, объем 16 Гб, DDR5 ECC DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUSF5632G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUSF5616G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUSE5608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 1G x 16, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUSF5632G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2G x 8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUSF5616G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2G x 8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUSE5608G, объем 8 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 1Gx16, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2416G, емкость 16 Гб, DDR4 2400 МГц, SODIMM, 1G x 8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2408G, емкость 8 Гб, DDR4 2400 МГц, SODIMM, 1G x 8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2116G, емкость 16 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1G x 8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2108G, емкость 8 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1G x 8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2408G, емкость 8 Гб, DDR4 2400 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2404G, емкость 4 Гб, DDR4 2400 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2104G, емкость 4 Гб, DDR4 2133 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSW2416G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2133 МГц, 1G x 8, 288 pin, двусторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSW2116G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2133 МГц, 1G x 8, 288 pin, двусторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSW2108G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2133 МГц, 1G x 8, 288 pin, односторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSW2408G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2133 МГц, 1G x 8, 288 pin, односторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSV2108G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2133 МГц, 512Mx8, 288 pin, двусторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSV2104G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2133 МГц, 512Mx8, 288 pin, односторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESW2416G, 16 Гб, DDR4 2400 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESW2408G, 8 Гб, DDR4 2400 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2408G, 8 Гб, DDR4 2400 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2404G, 4 Гб, DDR4 2400 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESX2632G, 32 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, ECC DIMM, стандартная высота, 2G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESW2416G, 16 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 двусторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESW2408G, 8 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESV2408G, 8 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, ECC DIMM, стандартная высота, 512M x 8 двусторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESV2404G, 4 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, ECC DIMM, стандартная высота, 512M x 8 односторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASX2632G, 32 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 2G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASW2416G, 16 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 двусторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASW2408G, 8 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASV2408G, 8 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512M x 8 двусторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASV2404G, 4 Гб, DDR4 (PC4-19200) 2400 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512M x 8 односторонняя, питание 1.2 В, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2416G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM, 2400 МГц, 1G x 8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2116G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM, 2133 МГц, 1G x 8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2404G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2400 МГц, 512M x 8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2108G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2133 МГц, 512M x 8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2104G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2133 МГц, 512M x 8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2416G, 16 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2408G, 8 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, односторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2116G, 16 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, двусторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, односторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2408G, 8 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512Mx8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2404G, 4 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512Mx8, односторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512M x 8, двусторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2104G, 4 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512M x 8, односторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DESB4832G, объем 32 Гб, DDR5 ECC DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DESB4816G, объем 16 Гб, DDR5 ECC DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DASB4832G, объем 32 Гб, DDR5 ECC Registered DIMM, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V5DASB4816G, объем 16 Гб, DDR5 ECC Registered DIMM, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2108G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2133 МГц, 1G x 8, 260 pin, одностронний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2408G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2400 МГц, 1G x 8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2408G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2400 МГц, 512M x 8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2108G, емкость 8 Гб, DDR4 2133 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUSC4808G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 1G x 16, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5SUSB4832G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, 0~+95 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSC4808G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 1G x 16, 262 pin, -40~95 C
28 747.96
Модуль памяти CIR-S5DUSC4808G, объем 8 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 1Gx16, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUSB4832G, объем 32 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-S5DUSB4816G, объем 16 Гб, DDR5 DIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+95C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASA3232G, 32 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 2G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSA3232G, емкость 32 Гб, DDR4 3200 МГц, SODIMM, 2Gx8, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSA3232G, объем 32 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 2G x 8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESX2632G, 32 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 2G x 8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESA3232G, 32 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 2G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSA3232G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 2Gx8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSA3232G, объем 32 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESY2916G, 16 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESZ3204G, 4 Гб, DDR4 3200 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESZ2908G, 8 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESZ2904G, 4 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY3208G, 8 Гб, DDR4 3200 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY2916G, 16 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY2908G, 8 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESZ3208G, 8 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESZ3204G, 4 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESZ2908G, 8 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESZ2904G, 4 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESY3216G, 16 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESY3208G, 8 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESY2908G, 8 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASZ3208G, 8 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASZ3204G, 4 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASZ2908G, 8 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASZ2904G, 4 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASY3216G, 16 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1Gx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASY3208G, 8 Гб, DDR4 (PC4-25600) 3200 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1Gx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASY2916G, 16 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASY2908G, 8 Гб, DDR4 (PC4-23466) 2933 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1G x 8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSZ3208G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSZ3204G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSY3216G, емкость 16 Гб, DDR4 3200 МГц, SODIMM, 1Gx8, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSY3208G, емкость 8 Гб, DDR4 3200 МГц, SODIMM, 1Gx8, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSY2916G, емкость 16 Гб, DDR4 2933 МГц, SODIMM, 1Gx8, питание 1.2 В, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSY2908G, емкость 8 Гб, DDR4 2933 МГц, SODIMM, 1Gx8, питание 1.2 В, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSZ3208G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 512Mx8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSZ3204G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 512Mx8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSZ2908G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512Mx8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSZ2904G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512Mx8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSY3216G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 1G x 8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSY3208G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 1G x 8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSY2916G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 1G x 8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSY2908G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 1G x 8, 288 pin, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSX2632G, объем 32 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 2G x 8, 288 pin, двусторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSZ3208G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 512M x 8, 260 pin, одностронний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSZ3204G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 512M x 8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSZ2908G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSZ2904G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSZ3208G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSZ3204G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSZ2908G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSZ2904G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSZ2908G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSZ2904G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S1SUME4001G, 1 ГБ, DDR1, (PC-3200) 400 MHz, 200-pin, SODIMM, 64Mx8, двусторонний, 2,6 В, 0~70 С, MICRON
По запросу
Модуль памяти CIR-S1SUME3301G, 1 Гб, DDR1, (PC-2700) 333MHz, 200-pin, Dual, двусторонний, 2,6 В, 0~70 С, MICRON
По запросу
Модуль памяти CIR-S1SUMD40512, 512 MB, DDR1, (PC-3200) 400 MHz, 200-pin, SODIMM, 32Mx16, двусторонний, 2,6 В, 0~70 С, MICRON
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSY3216G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 1Gx8, 260 pin, двусторонний,0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSY3208G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 1Gx8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSY2916G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM, 2933 МГц, 1Gx8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSY2908G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2933 МГц, 1Gx8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSY3216G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSY3208G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSY2916G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSY2908G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSX2632G, емкость 32 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 2G x 8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSW2616G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, двусторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSW2608G, объем 8Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, односторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSV2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, двусторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4DUSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, односторонний, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESW2616G, 16 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1Gx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESW2608G, 8 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1Gx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2608G, 8 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2604G, 4 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESW2616G, 16 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESW2608G, 8 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 1Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESV2608G, 8 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DESV2604G, 4 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Unregistered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASW2616G, 16 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1Gx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASW2608G, 8 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 1Gx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASV2608G, 8 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 двусторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4DASV2604G, 4 Гб, DDR4 (PC4-21333) 2666 Мгц, Registered ECC DIMM, стандартная высота, 512Mx8 односторонний, питание 1.2 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSX2632G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 2Gx8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSX2632G, объем 32 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S2SUMG8001G, 1 Гб, DDR2 (PC2-6400) 800 МГц, SODIMM 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, 0~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S1SUMD33512, 512 MB, DDR1, (PC-2700) 333MHz, 200-pin, SODIMM, 32Mx16, двусторонний, 2,6 В, 0~70 С, MICRON
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2616G, емкость 16 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1G x 8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2608G, емкость 8 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1Gx8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2608G, емкость 8 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2604G, емкость 4 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85С
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 Мгц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SVSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SVSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1808G, 8 Гб, DDR3 (PC3-14900) 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1804G, 4 Гб, DDR3 (PC3-14900) 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1602G, 2 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1008G, 8 Гб, DDR3 1066 MHz, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1004G, 4 Гб, DDR3 1066 MHz, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1004G, 4 Гб, DDR3 (PC3-8500) 1066 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSI1002G, 2 Гб, DDR3 (PC3-8500) 1066 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1804G, 4 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1608G, 8 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1604G, 4 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1308G, 8 Гб, (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1304G, 4 Гб, (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1802G, 2 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1604G, 4 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1602G, 2 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1304G, 4 Гб, (PC3-10600) 1333MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1302G, 2 Гб, (PC3-10600) 1333MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1608G, 8 Гб (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1604G, 4 Гб (PC3-12800) 1600 Мгц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1308G, 8 Гб (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1304G, 4 Гб (PC3-10600) 1333 Мгц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1008G, 8 Гб (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1004G, 4 Гб (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1604G, 4GB, DDR3, (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1602G, 2GB, DDR3, (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1304G, 4GB, DDR3, (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1302G, 2GB, DDR3, (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1004G, 4GB, DDR3, (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1002G, 2GB, DDR3, (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1808G, DDR3, 8 Гб, 1866 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1804G, DDR3, 4 Гб, 1866 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1608G, DDR3, 8 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1604G, DDR3, 4 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1308G, DDR3, 8 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1304G, DDR3, 4 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 одностронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односотронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1304G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1302G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1608G, DDR3, 8 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1604G, DDR3, 4 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1308G, DDR3, 8 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1304G, DDR3, 4 Гб, 1333MHz, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1008G, DDR3, 8 Гб, 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1004G, DDR3, 4 Гб, 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1604G, DDR3, 4 Гб (PC3-12800) 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1602G, DDR3, 2GB (PC3-12800) 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1304G, DDR3, 4 Гб (PC3-10600) 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1302G, DDR3, 2GB (PC3-10600) 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1004G, DDR3, 2GB (PC3-8500) 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С,
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1002G, DDR3, 2GB (PC3-8500) 1066 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S2SUMG8002G, 2 Гб, DDR2 (PC2-6400) 800 МГц, SODIMM 240-pin, 128Mx8, двуосторонний, 1,8 В, 0~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S2SUMG6602G, 2 Гб, DDR2 (PC2-5300) 667 МГц, SODIMM 240-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, 0~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S2SUMG6601G, 1 Гб, DDR2 (PC2-5300) 667 МГц, SODIMM 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, 0~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-S2DUMG8002G, 2 Гб, DDR2 (PC2-6400 800 МГц, DIMM 240-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, 0~85
По запросу
Модуль памяти CIR-S2DUMG8001G, 1 Гб, DDR2 (PC2-6400) 800 МГц, DIMM 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, 0~85
По запросу
Модуль памяти CIR-S2DUMG6602G, 2 Гб, DDR2 (PC2-5300) 667 МГц, DIMM 240-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, 0~85
По запросу
Модуль памяти CIR-S2DUMG6601G, 1 Гб, DDR2 (PC2-5300) 667 МГц, DIMM 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, 0~85
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1604G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двустронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Корзина T2-012-SATA3-BK, Hot-swap корзина 2*2.5" SATA3/SAS 6Gb (черный) hotswap trayless aluminium mobie rack module (1x3, 5) 1xFAN 80x15mm
2 691.79
Адаптер PS-201 для подключения корзин горячей замены Cervoz c поддержкой RAID
4 750.67
Модуль памяти CIR-S4SUSW2616G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 1Gx8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 1Gx8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 512Mx8, 260 pin, двусторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4SUSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2666 МГц, 512Mx8, 260 pin, односторонний, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DVSW2616G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DVSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DVSV2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DVSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C, низкопрофильный
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2616G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V3SESK1604G, DDR3, ECC SODIMM, емкость 4 Гб, 1600Мгц, питание 1.35В/1.5В
По запросу
Кабель CBL08051T-0500 SATA, данные, 50 см, металлическая защелка
280.96
Кабель CBL08039T-0800 SATA, данные, 70 см, металлическая защелка
312.68
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 SODIMM CIR-W2SUMG8002G, 2 GB 800 MHz, 200-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 SODIMM CIR-W2SUMG8001G, 1 GB 800 MHz, 200-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 SODIMM CIR-W2SUMG6602G, 2 GB 667 MHz, 200-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 SODIMM CIR-W2SUMG6601G, 1 GB 667 MHz, 200-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 DIMM CIR-W2DUMG8002G, 2 GB 800 MHz, 240-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 DIMM CIR-W2DUMG8001G, 1 GB 800 MHz, 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 DIMM CIR-W2DUMG6602G, 2 GB 667 MHz, 240-pin, 128Mx8, двусторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR2 DIMM CIR-W2DUMG6601G, 1 GB 667 MHz, 240-pin, 128Mx8, односторонний, 1,8 В, -40~95 С, Micron
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, двустронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSH1301G, 1 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSH1001G, 1 Гб, DDR3, (PC3-8500) 1066 Мгц, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSO1604G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSO1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSH1001G, емкость 1 Гб, DDR3, (PC3-8500) 1066 Мгц, DIMM, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, -40~+95 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1308G, 8 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1302G, 2 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Корзина CSE-535CTSARD для установки в отсек 3x 5,25'' 5x 2,5''/3,5'' SATA HDD/SSD с поддержкой RAID уровней 0, 3, 5,10, JBOD, PM, Clone, световая и звуковая индикация об ошибках, вентилятор 80 мм
30 222.25
Корзина CSE-534CTSARC для установки в отсек 3x 5,25'' 4x 2,5''/3,5'' SATA HDD/SSD с поддержкой RAID уровней 0, 1, 3, 5,10, JBOD, PM, Clone, световая и звуковая индикация об ошибках, вентилятор 80 мм
31 159.54
Корзина CSE-514ATSSN для установки в отсек 5,25'' четырех HDD/SSD 2,5'' SATA, вентилятор 40x40 мм
5 388.12
Корзина CSE-312ANSAN для установки в отсек 3,5'' для двух HDD/SSD 2,5'' SATA
7 256.66
Товары 1 - 357 из 357
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец