Индустриальные модули памяти
В разделе представлены индустриальные модули памяти с длинным сроком жизни без изменений типа и разрядности микросхем, в течение всего срока жизни модуля, а также модули памяти для работы в расширенном диапазоне рабочих температур от -40 до +85С. Кроме того имеется память поддерживаемая устаревающими чипсетами: B43 ,G41, G43 ,G45, P43, P45, Q43, Q45, H55, H57, P55, Q57, D2550, D2500, D2700, D425, D525, N2800, для которых подобрать оперативную память из предлагаемых на бытовом рынке в настоящее время проблематично.
тестНачало | Пред. | 1 | След. | Конец
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
48.13 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
82.49 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
48.13 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
82.20 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
23.16 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
89.39 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
57.53 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
63.34 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
46.25 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 Мгц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
30.91 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85С
154.01 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
49.95 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
118.91 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSA3232G, емкость 32 Гб, DDR4 3200 МГц, SODIMM, 2Gx8, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2104G, емкость 4 Гб, DDR4 2133 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, -40~85C
34.20 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSV2108G, емкость 8 Гб, DDR4 2133 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, -40~85C
91.26 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSV2404G, емкость 4 Гб, DDR4 2400 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSV2408G, емкость 8 Гб, DDR4 2400 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, -40~85C
87.75 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSV2604G, емкость 4 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, -40~85C
40.37 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSV2608G, емкость 8 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, -40~85C
88.45 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSW2108G, емкость 8 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1G x 8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2116G, емкость 16 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1G x 8, двусторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2408G, емкость 8 Гб, DDR4 2400 МГц, SODIMM, 1G x 8, односторонний, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSW2416G, емкость 16 Гб, DDR4 2400 МГц, SODIMM, 1G x 8, двусторонний, -40~85C
118.75 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSW2608G, емкость 8 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1Gx8, односторонний, -40~85C
69.20 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSW2616G, емкость 16 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 1G x 8, двусторонний, -40~85C
126.22 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSX2632G, емкость 32 Гб, DDR4 2666 МГц, SODIMM, 2G x 8, двусторонний, -40~85C
258.00 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSY2908G, емкость 8 Гб, DDR4 2933 МГц, SODIMM, 1Gx8, питание 1.2 В, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSY2916G, емкость 16 Гб, DDR4 2933 МГц, SODIMM, 1Gx8, питание 1.2 В, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSY3208G, емкость 8 Гб, DDR4 3200 МГц, SODIMM, 1Gx8, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSY3216G, емкость 16 Гб, DDR4 3200 МГц, SODIMM, 1Gx8, -40~85C
130.17 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSZ2904G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSZ2908G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W4SUSZ3204G, объем 4 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
40.94 у.е.
Модуль памяти CIR-W4SUSZ3208G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM, 3200 МГц, 512M x 8, 260 pin, -40~85C
72.36 у.е.
Модуль памяти CIR-W5SUSB4816G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSB4832G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSC4808G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-38400, 4800 МГц, 1G x 16, 262 pin, -40~85 C
125.25 у.е.
Модуль памяти CIR-W5SUSE5608G, объем 8 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 1G x 16, 262 pin, -40~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSF5616G, объем 16 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-44800, 5600 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~85 C
По запросу
Модуль памяти CIR-W5SUSF5632G, объем 32 Гб, DDR4 SODIMM Unbuffered, PC5-448000, 5600 МГц, 2Gx8, 262 pin, -40~85 C
По запросу
Модуль памяти M3S0-8GMSDDPC, 8 Гб, DDR3L SO-DIMM 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, -40~+85С
По запросу
Модуль памяти M3S0-8GSSD4PC, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, питание 1.35 В, -40~+85С
115.00 у.е.
Товары 1 - 44 из 44
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец