DDR4 SODIMM Server Series (ECC)
Модули с поддержкой технологии контроля ошибок памяти ECC. Для работы данной технологии требуется ее поддержка процессором.
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец
Модуль памяти CIR-V4SESZ3204G, 4 Гб, DDR4 3200 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESZ2908G, 8 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESZ2904G, 4 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY3208G, 8 Гб, DDR4 3200 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY2916G, 16 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESY2908G, 8 Гб, DDR4 2933 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESX2632G, 32 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 2G x 8 двусторонняя, 0~85C
Модуль памяти CIR-V4SESW2616G, 16 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1Gx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESW2608G, 8 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1Gx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESW2416G, 16 Гб, DDR4 2400 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESW2408G, 8 Гб, DDR4 2400 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 1G x 8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2608G, 8 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
66.90 у.е.
Модуль памяти CIR-V4SESV2604G, 4 Гб, DDR4 2666 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2408G, 8 Гб, DDR4 2400 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 двусторонняя, 0~85C
По запросу
Модуль памяти CIR-V4SESV2404G, 4 Гб, DDR4 2400 Мгц, Unbuffered ECC SODIMM, 512Mx8 односторонняя, 0~85C
По запросу
Товары 1 - 15 из 15
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец