DDR4 DIMM
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец
Модуль памяти CIR-S4DUSA3232G, объем 32 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2104G, 4 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512M x 8, односторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512M x 8, двусторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2404G, 4 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512Mx8, односторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2408G, 8 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 512Mx8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSV2604G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C
63.92 у.е.
Модуль памяти CIR-S4DUSV2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 512Mx8, 288 pin, 0~+85C
61.19 у.е.
Модуль памяти CIR-S4DUSW2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, односторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2116G, 16 GB (PC4-17000) 2133MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, двусторонний , 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2408G, 8 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, односторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2416G, 16 GB (PC4-19200) 2400MHz, DDR4 DIMM 288-pin, 1G x 8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSW2608G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
59.05 у.е.
Модуль памяти CIR-S4DUSW2616G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
108.86 у.е.
Модуль памяти CIR-S4DUSX2632G, объем 32 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2666 МГц, 2Gx8, 288 pin, 0~+85C
223.10 у.е.
Модуль памяти CIR-S4DUSY2908G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSY2916G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSY3208G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSY3216G, объем 16 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 3200 МГц, 1Gx8, 288 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSZ2904G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSZ2908G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSZ3204G, объем 4 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, 0~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S4DUSZ3208G, объем 8 Гб, DDR4 DIMM Unbuffered, 2933 МГц, 512M x 8, 260 pin, 0~+85C
По запросу
Товары 1 - 22 из 22
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец