DDR3 SODIMM
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1008G, 8 Гб, DDR3 1066 MHz, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1004G, 4 Гб, DDR3 1066 MHz, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1004G, 4 Гб, DDR3 (PC3-8500) 1066 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSI1002G, 2 Гб, DDR3 (PC3-8500) 1066 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-V3SESK1604G, DDR3, ECC SODIMM, емкость 4 Гб, 1600Мгц, питание 1.35В/1.5В
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSH1301G, 1 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSH1001G, 1 Гб, DDR3, (PC3-8500) 1066 Мгц, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Товары 21 - 40 из 41
Начало | Пред. | 1 2 3 | След. | Конец