DDR3 SODIMM
Товары
1 - 46 из 46
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец
M3S0-4GMSCCQE new
Модуль памяти M3S0-4GMSCCQE, 4 Гб, DDR3L SO-DIMM 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, 0~+85С
22 587.68
M3S0-4GMJDLQE new
Модуль памяти M3S0-4GMJDLQE, 4 Гб, DDR3L SO-DIMM 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, 0~+85С
19 481.87
M3S0-2GMJCLQE new
Модуль памяти M3S0-4GMJDLQE, 2 Гб, DDR3L SO-DIMM 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, 0~+85С
10 101.71
Модуль памяти M3S0-8GMSDDPC, 8 Гб, DDR3L SO-DIMM 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, -40~+85С
По запросу
Модуль памяти M3S0-8GSSD4PC, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, питание 1.35 В, -40~+85С
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85С
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 Мгц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1808G, 8 Гб, DDR3 (PC3-14900) 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1804G, 4 Гб, DDR3 (PC3-14900) 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSPM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1602G, 2 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSOM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1008G, 8 Гб, DDR3 1066 MHz, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSKM1004G, 4 Гб, DDR3 1066 MHz, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSIM1004G, 4 Гб, DDR3 (PC3-8500) 1066 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSI1002G, 2 Гб, DDR3 (PC3-8500) 1066 Мгц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-V3SESK1604G, DDR3, ECC SODIMM, емкость 4 Гб, 1600Мгц, питание 1.35В/1.5В
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSH1301G, 1 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 Мгц, SODIMM, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3SUSH1001G, 1 Гб, DDR3, (PC3-8500) 1066 Мгц, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя, питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, -40~+95 С, SAMSUNG
По запросу
Товары 1 - 46 из 46
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец