DDR3 DIMM
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM CIR-W3DUSPS1304G, 4 GB 1333 MHz, 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
на складе
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, двустронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1308G, 8 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Товары 1 - 20 из 78
Начало | Пред. | 1 2 3 4 | След. | Конец