DDR3 DIMM
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1304G, 4 Гб, (PC3-10600) 1333MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1602G, 2 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1604G, 4 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1802G, 2 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1304G, 4 Гб, (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1308G, 8 Гб, (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1604G, 4 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1608G, 8 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1804G, 4 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1302G, 2 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1308G, 8 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
По запросу
Товары 41 - 60 из 78
Начало | Пред. | 1 2 3 4 | След. | Конец