CIR-V4SESS2404G


Добавить к сравнению 
Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM Unbuffered ECC CIR-V4SESS2404G, емкость 4 Гб, (PC4-19200) 2400 Мгц, стандартная высота, 512Mx8 односторонняя,  питание 1.2 В, -40~+90C, Samsung

Артикул продукта: ES-Cervoz-RAM-SODIMM-15224
Цена CIR-V4SESS2404G :  По запросу
В корзину

  • Характеристики
  • Отзывы
Конструкция стандартная высота
Объем памяти 4 Гб
Тип памяти DDR4 SODIMM Unbuffered ECC
Количество контактов 260
Частота работы, МГц 2400
Контроль ошибок (ECC) Да
Организация чипов 512Mx8
Компоновка микросхем односторонняя
Производитель чипов памяти SAMSUNG
Напряжение питания 1.2 В
Рабочая температура, град. C -40~+90C
Производитель
CIR-V4SESS2404G
CERVOZ

Назад в раздел




Отзывы о CIR-V4SESS2404G:
0

Каталог продукции