CIR-V4SESN2108G
Артикул:ES-Cervoz-RAM-SODIMM-13981
Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM CIR-V4SESN2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, ECC, 260-pin, 512Mx8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG
Характеристики
Отзывы
Форм-фактор | стандартная высота |
Тип оперативной памяти | DDR4-2133 ECC |
Объем памяти | 8 Гбайт |
Количество контактов | 260 |
Контроль ошибок (ECC) | да |
Организация чипов | 512M x 8 |
Компоновка микросхем | двусторонняя |
Производитель чипов памяти | SAMSUNG |
Питание, DC (V) | 1,2 |
Рабочая температура, град. C | 0~85 |
Производитель CIR-V4SESN2108G |
CERVOZ |