CIR-V4SESN2108G


Добавить к сравнению 
Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM CIR-V4SESN2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, ECC, 260-pin, 512Mx8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG

Артикул продукта: ES-Cervoz-RAM-SODIMM-13981
Цена CIR-V4SESN2108G :  74.40 у.е. (4 364.45 руб. с НДС)
В корзину

  • Характеристики
  • Отзывы
Конструкция стандартная высота
Объем памяти 8 Гб
Тип памяти DDR4 SODIMM ECC Unbuffered
Количество контактов 260
Частота работы, МГц 2133
Контроль ошибок (ECC) Да
Организация чипов 512Mx8
Компоновка микросхем двусторонняя
Производитель чипов памяти SAMSUNG
Напряжение питания 1.2 В
Рабочая температура, град. C 0~+85C
Производитель
CIR-V4SESN2108G
CERVOZ

Назад в раздел




Отзывы о CIR-V4SESN2108G:
0

Каталог продукции