DDR4 SODIMM Server Series (ECC)





CIR-V4SESQ2116G

Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM CIR-V4SESQ2116G, 16 GB (PC4-17000) 2133MHz, ECC, 260-pin, 1Gx8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG

Цена:

188.60 у.е.

В корзину

Снято с продажи Сравнить



CIR-V4SESQ2108G

Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM CIR-V4SESQ2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, ECC, 260-pin, 1Gx8, односторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG

Цена:

99.60 у.е.

В корзину

Снято с продажи Сравнить



CIR-V4SESN2108G

Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM CIR-V4SESN2108G, 8 GB (PC4-17000) 2133MHz, ECC, 260-pin, 512Mx8, двусторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG

Цена:

74.40 у.е.

В корзину

Снято с продажи Сравнить



CIR-V4SESN2104G

Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM CIR-V4SESN2104G, 4 GB (PC4-17000) 2133MHz, ECC, 260-pin, 512Mx8, односторонний, 1.2 В, 0~85 С, SAMSUNG

Цена:

41.70 у.е.

В корзину

Снято с продажи Сравнить



CIR-V4SESS2408G

Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM Unbuffered ECC CIR-V4SESS2408G, емкость 8 Гб, (PC4-19200) 2400 Мгц, стандартная высота, 512Mx8 двустронняя,  питание 1.2 В, -40~+90C, Samsung

Цена:

По запросу

В корзину

Сравнить



CIR-V4SESS2404G

Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM Unbuffered ECC CIR-V4SESS2404G, емкость 4 Гб, (PC4-19200) 2400 Мгц, стандартная высота, 512Mx8 односторонняя,  питание 1.2 В, -40~+90C, Samsung

Цена:

По запросу

В корзину

Сравнить



CIR-V4SESR2416G

Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM Unbuffered ECC CIR-V4SESR2416G, емкость 16 Гб, (PC4-19200) 2400 Мгц, стандартная высота, 1Gx8 двустронняя,  питание 1.2 В, -40~+90C, Samsung

Цена:

По запросу

В корзину

Сравнить



CIR-V4SESR2408G

Модуль памяти CERVOZ DDR4 SODIMM Unbuffered ECC CIR-V4SESR2408G, емкость 8 Гб, (PC4-19200) 2400 Мгц, стандартная высота, 1Gx8 односторонняя,  питание 1.2 В, -40~+90C, Samsung

Цена:

По запросу

В корзину

Сравнить



Товары 1 - 8 из 8
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец Все





Каталог продукции