DDR3 SODIMM
Начало | Пред. | 1 2 3 | След. | Конец
Модуль памяти Kingston DDR3 SODIMM 8GB KVR16LS11/8 PC3-12800, 1600MHz, 1.35V
81.18 у.е.
на складе
Модуль памяти M3S0-8GSSD4PC, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, питание 1.35 В, -40~+85С
115.00 у.е.
Модуль памяти M3S0-8GMSDDPC, 8 Гб, DDR3L SO-DIMM 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, -40~+85С
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
118.91 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 512Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
49.95 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85С
154.01 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 Мгц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
30.91 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
По запросу
Модуль памяти CIR-W3SUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 512Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
46.25 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
63.34 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
57.53 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
89.39 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
23.16 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 Мгц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
82.20 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
48.13 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, двусторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
82.49 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 (PC3-10600) 1333 МГц, SODIMM, 256Mx8, односторонний, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+85C
48.13 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM 204-pin, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, -40~+95 С, SAMSUNG
47.03 у.е.
Модуль памяти CIR-W3SUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, SODIMM, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
25.31 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 SODIMM with ECC CIR-V3SESK1604G, емкость 4 Гб, 1600Мгц, питание 1.35В/1.5В
39.65 у.е.
Товары 1 - 20 из 44
Начало | Пред. | 1 2 3 | След. | Конец