Каталог
Общие вопросы info@empc.ru
Оборудование sales@empc.ru
Тех. поддержка support@empc.ru

DDR3 DIMM

Товары 1 - 79 из 79
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец По стр.
Фото
В корзину
Скидка
Сравнить
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 одностронняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSO1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
22.03 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односотронняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
22.28 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
22.30 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1802G, 2 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1602G, 2 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1302G, 2 Гб, (PC3-10600) 1333MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1602G, 2GB, DDR3, (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1302G, 2GB, DDR3, (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1002G, 2GB, DDR3, (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1302G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1002G, DDR3, 2GB (PC3-8500) 1066 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1602G, 2 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, односторонний,  питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
25.31 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
28.59 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1302G, 2 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
28.59 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1604G, 4 Гб (PC3-12800) 1600 Мгц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
31.15 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1804G, DDR3, 4 Гб, 1866 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
31.15 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1604G, DDR3, 4 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
31.19 у.е.
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
32.81 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSH1001G, емкость 1 Гб, DDR3, (PC3-8500) 1066 Мгц, DIMM, стандартная высота, 128Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
33.28 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1602G, 2 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
35.63 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1804G, 4 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
36.56 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1604G, 4 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
36.56 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1304G, 4 Гб, (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
36.56 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1304G, 4 Гб (PC3-10600) 1333 Мгц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
36.56 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1004G, 4 Гб (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
36.56 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1304G, DDR3, 4 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
36.56 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1304G, DDR3, 4 Гб, 1333MHz, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
36.56 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1004G, DDR3, 4 Гб, 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
36.56 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
38.21 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
38.28 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1604G, 4 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
38.80 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1304G, DDR3, 4 Гб (PC3-10600) 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
38.80 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1604G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двустронняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
38.80 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSO1604G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двусторонняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
40.47 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1304G, 4 Гб, (PC3-10600) 1333MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
41.88 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1604G, 4GB, DDR3, (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
41.88 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1304G, 4GB, DDR3, (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
41.88 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1004G, 4GB, DDR3, (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
41.88 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1304G, DDR3, емкость 4 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 двусторонняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
41.88 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1604G, DDR3, 4 Гб (PC3-12800) 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
41.88 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1004G, DDR3, 2GB (PC3-8500) 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С,
41.88 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1602G, DDR3, 2GB (PC3-12800) 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
44.05 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, односторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
45.25 у.е.
Модуль памяти CIR-W3DUSOS1604G, 4 Гб, DDR3 (PC3-12800) 1600 МГц, стандартная высота, DIMM, 256Mx8, двустронняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, -40~+90C, Samsung
47.03 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1304G, 4 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
47.34 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
48.55 у.е.
Модуль памяти Unigen DDR3 2GB UDIMM (U25U6411N8DU-CA1-000-00), 1066/1333Mhz, 256M x 64, 240 pin
54.88 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASI1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 256Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
55.16 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1808G, DDR3, 8 Гб, 1866 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
56.26 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1608G, DDR3, 8 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
56.31 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1608G, DDR3, 8 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
56.32 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1604G, DDR3, 4 Гб, 1600 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
59.05 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSIM1302G, DDR3, 2GB (PC3-10600) 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
61.18 у.е.
Модуль памяти CIR-W3DUSPS1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
63.34 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM CIR-W3DUSPS1304G, 4 GB 1333 MHz, 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
65.92 у.е.
на складе
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1308G, 8 GB (PC3-10600) 1333 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
65.92 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DESK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
66.88 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1608G, 8 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
69.53 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSPM1308G, 8 Гб, (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
69.53 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1608G, 8 Гб (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
69.53 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1308G, 8 Гб (PC3-10600) 1333 МГц, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
69.53 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSKM1008G, 8 Гб (PC3-8500) 1066MHz, DDR3, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
69.53 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSPM1308G, DDR3, 8 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
69.53 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1308G, DDR3, 8 Гб, 1333 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
69.53 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSKM1008G, DDR3, 8 Гб, 1066 Мгц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С
69.53 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-V3DASK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, Registered, ECC, 512Mx8, двусторонний, 1.35 / 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
73.51 у.е.

Товары 1 - 79 из 79
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец По стр.
Авторизация

Пожалуйста, авторизуйтесь:

Логин:
Пароль:

Если вы впервые на сайте, заполните,
пожалуйста, регистрационную форму:

Зарегистрироваться
Регистрация

На указанный в форме e-mail придет запрос на подтверждение регистрации.

* Обязательные поля
*Логин (мин. 3 символа):
Имя:
Фамилия:
*Пароль:
Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
*Подтверждение пароля:
*E-Mail:
Защита от автоматической регистрации
CAPTCHA
*Введите слово на картинке:

Нажимая на кнопку РЕГИСТРАЦИЯ, я даю согласие на обработку персональных данных

Подписка на рассылку
E-mail:
ООО «Встраиваемые Системы» Контакты:
Адрес: ул. Лобачика, дом 11 107113 Москва,
Телефон:+7 (495) 648-60-47, Телефон:+7 (495) 648-60-47, Электронная почта: info@empc.ru