DDR3 DIMM
Начало | Пред. | 1 2 3 4 | След. | Конец
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1808G, 8 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1608G, 8 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1308G, 8 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSPSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 512Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1804G, 4 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1802G, 2 Гб, DDR3 1866 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1604G, 4 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1602G, 2 Гб, DDR3 1600 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1304G, 4 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, двусторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-W3DUSOSM1302G, 2 Гб, DDR3 1333 МГц, DIMM 240-pin, 256Mx8, односторонний, 1,35/1,5 В, -40~85 С, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 одностронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
По запросу
Модуль памяти CIR-S3DUSO1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
22.03 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1802G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-14900) 1866 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односотронняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
22.28 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DUSOM1602G, DDR3, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, DIMM, стандартная высота, 256Mx8 односторонняя, питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
22.30 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1802G, 2 Гб, (PC3-14900) 1866 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1602G, 2 Гб, (PC3-12800) 1600 МГц, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSOM1302G, 2 Гб, (PC3-10600) 1333MHz, DDR3, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный,односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Модуль памяти CIR-S3DVSIM1602G, 2GB, DDR3, (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С
22.66 у.е.
Товары 1 - 20 из 79
Начало | Пред. | 1 2 3 4 | След. | Конец