Каталог
+7 (495) 648-60-47
Общие вопросы info@empc.ru
Оборудование sales@empc.ru
Тех. поддержка support@empc.ru

DDR3 DIMM Very Low Profile



Фото
Модель/Описание
Цена, у.е.
Наличие
В корзину
Скидка
Сравнить
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSI1602G, 2GB (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С, SAMSUNG
32.50 у.е.
склад
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSI1302G, 2GB (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С, SAMSUNG
32.50 у.е.
склад
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSI1604G, 4GB (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С, SAMSUNG
60.87 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSI1304G, 4GB (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С, SAMSUNG
60.87 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSI1004G, 4GB (PC3-8500) 1066MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5 В, 0~85 С, SAMSUNG
60.87 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSI1002G, 2GB (PC3-8500) 1066MHz, 240-pin, 256Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С, SAMSUNG
32.50 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM Unbuffered CIR-S3DVSO1604G, емкость 4 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, низкопрофильный, 256Mx8 двустронняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
60.87 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM Unbuffered CIR-S3DVSO1602G, емкость 2 Гб, (PC3-12800) 1600 Мгц, низкопрофильный, 256Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
32.50 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM Unbuffered CIR-S3DVSO1304G, емкость 4 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, низкопрофильный, 256Mx8 двустронняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
60.87 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM Unbuffered CIR-S3DVSO1302G, емкость 2 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, низкопрофильный, 256Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В / 1.35 В, 0~+85C, Samsung
32.50 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVHK1608G, 8GB (PC3-12800) 1600MHz, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С, Hynix
77.20 у.е.
склад
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSG1301G, 1GB (PC3-10600) 1333MHz, 240-pin, 128Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С, SAMSUNG
39.70 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSG1001G, 1GB (PC3-8500) 1066MHz, 240-pin, 128Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5 В, 0~85 С, SAMSUNG
34.20 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM Unbuffered CIR-S3DVSK1308G, емкость 8 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, низкопрофильный, 512Mx8 двустронняя,  питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
109.88 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM Unbuffered CIR-S3DVSK1304G, емкость 4 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, низкопрофильный, 512Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
56.38 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM Unbuffered CIR-S3DVSH1301G, емкость 1 Гб, (PC3-10600) 1333 Мгц, низкопрофильный, 128Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
27.83 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 DIMM Unbuffered CIR-S3DVSH1001G, емкость 1 Гб, (PC3-8500) 1066 Мгц, низкопрофильный, 128Mx8 односторонняя,  питание 1.5 В, 0~+85C, Samsung
27.83 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSK1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, двусторонний, 1.5 В, 0~85 С, SAMSUNG
109.88 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSP1608G, 8 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С, SAMSUNG
109.88 у.е.
Модуль памяти CERVOZ DDR3 CIR-S3DVSP1604G, 4 GB (PC3-12800) 1600 MHz, 240-pin, 512Mx8, низкопрофильный, односторонний, 1,5/1,35 В, 0~85 С, SAMSUNG
56.38 у.е.

Авторизация

Пожалуйста, авторизуйтесь:

Логин:
Пароль:

Если вы впервые на сайте, заполните,
пожалуйста, регистрационную форму:

Зарегистрироваться
Регистрация

На указанный в форме e-mail придет запрос на подтверждение регистрации.

* Обязательные поля
Имя:
Фамилия:
*Логин (мин. 3 символа):
*Пароль:
Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
*Подтверждение пароля:
*E-Mail:
Защита от автоматической регистрации
CAPTCHA
*Введите слово на картинке:

Нажимая на кнопку РЕГИСТРАЦИЯ, я даю согласие на обработку персональных данных

Подписка на рассылку
E-mail: